TH510 系列半導(dǎo)體 C-V 特性分析儀是常州同惠電子根據(jù)當(dāng)前半導(dǎo)體功率器件發(fā)展趨勢(shì)，針對(duì)半導(dǎo)體材料及功率器件設(shè)計(jì)的分析儀器。儀器采用了一體化集成設(shè)計(jì)，二極管、三極管、MOS管及IGBT等半導(dǎo)體功率器件寄生電容、CV特性可一鍵測(cè)試，無需頻繁切換接線及設(shè)置參數(shù)，單管功率器件及模組功率器件均可一鍵快速測(cè)試，適用于生產(chǎn)線快速測(cè)試、自動(dòng)化集成。CV曲線掃描分析能力亦能滿足實(shí)驗(yàn)室對(duì)半導(dǎo)體材料及功率器件的研發(fā)及分析。儀器設(shè)計(jì)頻率為 1kHz-2MHz，VGS電壓可達(dá)±40V，VDS電壓可達(dá)±200V/±1500V/±3000V，可滿足大多數(shù)功率器件測(cè)試。

A.一體化測(cè)試，集成度高、體積小、效率高

一臺(tái)儀器內(nèi)置了LCR數(shù)字電橋、VGS電壓源、VDS電壓源、高低壓切換矩陣以及上位機(jī)軟件，將復(fù)雜的接線、繁瑣的操作集成在支持電容式觸摸的Linux系統(tǒng)內(nèi)，操作更簡(jiǎn)單。特別適合產(chǎn)線快速化、自動(dòng)化測(cè)試。

B.單管器件測(cè)試，10.1寸大屏，四種寄生參數(shù)同屏顯示，讓細(xì)節(jié)一覽無遺

MOSFET或IGBT最重要的四個(gè)寄生參數(shù)：Ciss、Coss、Crss、Rg，Cies、Coes、Cres、Rg均可一鍵測(cè)試，10.1寸大屏可同時(shí)將測(cè)量結(jié)果、等效電路圖、分選結(jié)果等重要參數(shù)同時(shí)顯示，一目了然。

一鍵測(cè)試單管器件器件時(shí)，無需頻繁切換測(cè)試腳位、測(cè)量參數(shù)、測(cè)量結(jié)果，大大提高了測(cè)試效率。

C.列表測(cè)試，多個(gè)、多芯、模組器件測(cè)量參數(shù)同屏顯示

TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀支持最多6個(gè)單管器件、6芯器件或6模組器件測(cè)試，所有測(cè)量參數(shù)通過列表掃描模式同時(shí)顯示測(cè)試結(jié)果及判斷結(jié)果。

應(yīng)用

■ 半導(dǎo)體元件/功率元件

二極管、三極管、MOSFET、IGBT、晶閘管、集成電路、光

電子芯片等寄生電容測(cè)試、C-V特性分析

■ 半導(dǎo)體材料

晶圓切割、C-V特性分析

■ 液晶材料

彈性常數(shù)分析

■電容元件

電容器C-V特性測(cè)試及分析，電容式傳感器測(cè)試分析

TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀產(chǎn)品特點(diǎn):

· 標(biāo)配2通道，可擴(kuò)展至6通道，可測(cè)單管、多芯或模組器件（TH513僅1通道）

· CV曲線掃描、Ciss-Rg曲線掃描

· 電容快速充電技術(shù)，實(shí)現(xiàn)快速測(cè)試

TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀選型技術(shù)參數(shù)：

• ? TH510.pdf